FDD8445和FDD8445_F085

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDD8445 FDD8445_F085 BUK6212-40C,118

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD8445  晶体管, MOSFET, N沟道, 15.2 A, 40 V, 6.7 mohm, 10 V, 2.8 VPowerTrench® N 通道 MOSFET,20A 至 59.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

引脚数 3 3 -

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 79 W 79 W 80 W

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

输入电容(Ciss) 4050pF @25V(Vds) 4050pF @25V(Vds) 1900pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 79 W 79 W 80 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 79W (Tc) 79W (Tc) 80W (Tc)

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.0067 Ω - -

阈值电压 2.8 V - -

漏源击穿电压 40.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 15.2 A 70A -

上升时间 82 ns - -

下降时间 9.6 ns - -

通道数 - 1 -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 6.73 mm 6.73 mm -

宽度 6.22 mm 6.22 mm -

高度 2.39 mm 2.39 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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