2SJ652和MTP23P06VG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2SJ652 MTP23P06VG IRF5305LPBF

描述 -28A,-60V,P沟道MOSFET-23A,-60V,P沟道功率MOSFETTrans MOSFET P-CH 55V 31A 3Pin(3+Tab) TO-262

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-262-3

额定电压(DC) - -60.0 V -

额定电流 - -23.0 A -

漏源极电阻 55.5 mΩ 120 mΩ -

极性 P-CH P-Channel P-Channel

耗散功率 2 W 90W (Tc) 110 W

输入电容 - 1.62 nF -

栅电荷 - 50.0 nC -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 55 V

漏源击穿电压 - 60.0 V -

栅源击穿电压 - ±15.0 V -

连续漏极电流(Ids) -28A 23.0 A -31.0 A

上升时间 - 98.3 ns -

输入电容(Ciss) 4360pF @20V(Vds) 1620pF @25V(Vds) 1200pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 90 W 3.8 W

下降时间 - 62 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) - -40 ℃ -

耗散功率(Max) 2W (Ta), 30W (Tc) 90W (Tc) -

通道数 1 - 1

阈值电压 -2.6V - -

额定功率 - - 110 W

产品系列 - - IRF5305L

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-262-3

宽度 - - 4.5 mm

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Unknown Active

包装方式 Bulk Tube Tube

最小包装 50 - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -

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