对比图
型号 2SJ652 MTP23P06VG IRF5305LPBF
描述 -28A,-60V,P沟道MOSFET-23A,-60V,P沟道功率MOSFETTrans MOSFET P-CH 55V 31A 3Pin(3+Tab) TO-262
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) International Rectifier (国际整流器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-262-3
额定电压(DC) - -60.0 V -
额定电流 - -23.0 A -
漏源极电阻 55.5 mΩ 120 mΩ -
极性 P-CH P-Channel P-Channel
耗散功率 2 W 90W (Tc) 110 W
输入电容 - 1.62 nF -
栅电荷 - 50.0 nC -
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 55 V
漏源击穿电压 - 60.0 V -
栅源击穿电压 - ±15.0 V -
连续漏极电流(Ids) -28A 23.0 A -31.0 A
上升时间 - 98.3 ns -
输入电容(Ciss) 4360pF @20V(Vds) 1620pF @25V(Vds) 1200pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 90 W 3.8 W
下降时间 - 62 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ -
工作温度(Min) - -40 ℃ -
耗散功率(Max) 2W (Ta), 30W (Tc) 90W (Tc) -
通道数 1 - 1
阈值电压 -2.6V - -
额定功率 - - 110 W
产品系列 - - IRF5305L
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-262-3
宽度 - - 4.5 mm
工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -
产品生命周期 Obsolete Unknown Active
包装方式 Bulk Tube Tube
最小包装 50 - -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99 -