对比图
型号 IPD30N03S2L10ATMA1 SPD30N03S2L10GBTMA1
描述 Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPD30N03S2L10ATMA1, 30 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装DPAK N-CH 30V 30A
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3
极性 N-CH N-CH
耗散功率 100 W 100 W
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 30A 30A
上升时间 21 ns 13 ns
输入电容(Ciss) 1200pF @25V(Vds) 1550pF @25V(Vds)
下降时间 10 ns 17 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 100W (Tc) 100W (Tc)
额定功率 - 100 W
额定功率(Max) - 100 W
长度 6.73 mm 6.5 mm
宽度 6.22 mm 6.22 mm
高度 2.41 mm 2.3 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅 无铅
ECCN代码 EAR99 -