Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPD30N03S2L10ATMA1, 30 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK TO-252封装
OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列
OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。
N 通道 - 增强模式
符合汽车 AEC Q101 规格
MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接
175°C 工作温度
绿色封装（无铅）
超低 Rdson
得捷:
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
欧时:
Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPD30N03S2L10ATMA1, 30 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK TO-252封装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin2+Tab TO-252
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
极性 N-CH
耗散功率 100 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 30A
上升时间 21 ns
输入电容Ciss 1200pF @25VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 100W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.41 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 OptiMOS-T 40V addresses to small loads control switching 3-phase and H-bridge motors, electric pumps, etc. especially in combination with PWM control., Body applications
RoHS标准
含铅标准 无铅
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPD30N03S2L10ATMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
SPD30N03S2L10GBTMA1 英飞凌 | 类似代替 | IPD30N03S2L10ATMA1和SPD30N03S2L10GBTMA1的区别 |