对比图
描述 单晶体管 双极, NPN, 45 V, 3 MHz, 36 W, 4 A, 30 hFENPN大功率硅晶体管 NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTORON SEMICONDUCTOR BD437G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 3 MHz, 36 W, 4 A, 85 hFE
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) Microsemi (美高森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-126-3 TO-204 TO-126-3
频率 3 MHz - 3 MHz
额定电压(DC) - - 45.0 V
额定电流 - - 4.00 A
针脚数 3 - 3
极性 - NPN NPN
耗散功率 36 W - 36 W
击穿电压(集电极-发射极) 45 V 90 V 45 V
集电极最大允许电流 - 30A 4A
最小电流放大倍数(hFE) 30 @10mA, 5V 20 @15A, 2V 85 @500mA, 1V
额定功率(Max) 36 W 6 W 36 W
直流电流增益(hFE) 30 - 85
工作温度(Max) 150 ℃ 200 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 36000 mW 6000 mW 36000 mW
封装 TO-126-3 TO-204 TO-126-3
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 200℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Bag Tray Bulk
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - EAR99