对比图
型号 STD50NH02LT4 STD55NH2LLT4 NTD60N02RG
描述 N沟道24V - 0.0085ohm - 50A - DPAK / IPAK的STripFET TM III功率MOSFET N-channel 24V - 0.0085ohm - 50A - DPAK/IPAK STripFET TM III Power MOSFETN沟道24V - 0.010ohm - 40A DPAK / IPAK超低栅极电荷的STripFET功率MOSFET N-CHANNEL 24V - 0.010ohm - 40A DPAK/IPAK ULTRA LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET60A,24V功率MOSFET
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) 24.0 V 24.0 V 25.0 V
额定电流 50.0 A 40.0 A 62.0 A
漏源极电阻 10.5 mΩ 110 mΩ 8.40 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 60 W 60W (Tc) 1.87 W
漏源极电压(Vds) 24 V 24 V 25 V
漏源击穿电压 24 V 24.0 V 25.0 V
栅源击穿电压 - ±16.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 50.0 A 40.0 A 62.0 A
输入电容(Ciss) 1400pF @25V(Vds) 990pF @25V(Vds) 1330pF @20V(Vds)
额定功率(Max) 60 W 60 W -
耗散功率(Max) 60W (Tc) 60W (Tc) 1.25W (Ta), 58W (Tc)
通道数 1 - -
上升时间 130 ns - 33 ns
下降时间 16 ns - 9 ns
工作温度(Max) 175 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ - -55 ℃
输入电容 - - 1.33 nF
栅电荷 - - 14.0 nC
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
长度 6.6 mm - 6.73 mm
宽度 6.2 mm - 6.22 mm
高度 2.4 mm - 2.38 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Obsolete Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 - - EAR99