STD25NF10和STD25NF10T4

对比图

型号 STD25NF10 STD25NF10T4 D2-5

描述 N沟道100V - 0.033ohm - 25A DPAK低栅电荷STripFET⑩功率MOSFET N-CHANNEL 100V - 0.033ohm - 25A DPAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ POWER MOSFETSTMICROELECTRONICS  STD25NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 12.5 A, 100 V, 33 mohm, 10 V, 3 VN-channel 100 V, 0.033 Ohm typ., 25 A StripFET Power MOSFET in DPAK package

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

封装 TO-252 TO-252-3 TO-252

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 3 -

封装 TO-252 TO-252-3 TO-252

长度 - 6.6 mm -

宽度 - 6.2 mm -

高度 - 2.4 mm -

产品生命周期 Pre-Release Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

额定电压(DC) - 100 V -

额定电流 - 25.0 A -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 30.0 mΩ 0.033 Ω -

极性 - N-Channel -

耗散功率 - 100 W -

阈值电压 - 3 V -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V -

漏源击穿电压 - 100 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 25.0 A 12.5 A -

上升时间 - 60 ns -

输入电容(Ciss) - 1550pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 100 W -

下降时间 - 15 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 100W (Tc) -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

ECCN代码 - EAR99 -