FDG6306P和FDG6306P_NL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDG6306P FDG6306P_NL SI1967DH-T1-GE3

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDG6306P  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -600 mA, -20 V, 0.3 ohm, -4.5 V, -1.2 VP-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET双P通道20 V(D -S)的MOSFET Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 - 6

封装 SC-70-6 SC-70 SC-70-6

针脚数 6 - 6

漏源极电阻 0.3 Ω - 0.64 Ω

极性 P-Channel P-CH Dual P-Channel

耗散功率 300 mW - 0.74 W

阈值电压 - - 400 mV

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 600 mA 0.6A 1.3A

上升时间 14 ns - 27 ns

输入电容(Ciss) 114pF @10V(Vds) - 110pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 300 mW - 1.25 W

下降时间 1.7 ns - 10 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 0.3 W - 1.25 W

额定电压(DC) -20.0 V - -

额定电流 -600 mA - -

输入电容 114 pF - -

栅电荷 1.40 nC - -

栅源击穿电压 ±12.0 V - -

长度 2 mm - 2.1 mm

宽度 1.25 mm - 1.25 mm

高度 1 mm - 1 mm

封装 SC-70-6 SC-70 SC-70-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

最小包装 - - 3000

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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