对比图
型号 IRGR2B60KDPBF IRGR2B60KDTRRPBF IRGR2B60KDTRPBF
描述 INFINEON IRGR2B60KDPBF 单晶体管, IGBT, N通道, 6.3 A, 1.95 V, 35 W, 600 V, TO-252AA, 3 引脚 新Trans IGBT Chip N-CH 600V 6.3A 35000mW 3Pin(2+Tab) DPAK T/RTrans IGBT Chip N-CH 600V 6.3A 35000mW 3Pin(2+Tab) DPAK T/R
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
针脚数 3 - -
耗散功率 35 W 35000 mW 35000 mW
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V
反向恢复时间 68 ns 68 ns 68 ns
额定功率(Max) 35 W 35 W 35 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 35000 mW 35000 mW 35000 mW
额定功率 - 35 W -
长度 10.31 mm - -
宽度 9.45 mm - -
高度 4.57 mm - -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
ECCN代码 EAR99 - -