BD539C和BD539C-S

对比图

型号 BD539C BD539C-S BD540C

描述 NPN硅功率晶体管 NPN SILICON POWER TRANSISTORS双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100V 5A NPNTransistor

数据手册 ---

制造商 Bourns J.W. Miller (伯恩斯) Bourns J.W. Miller (伯恩斯) Inchange Semiconductor

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 TO-220-3 TO-220-3 -

引脚数 - 3 -

极性 NPN NPN -

耗散功率 45000 mW 45 W -

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V -

集电极最大允许电流 5A 5A -

最小电流放大倍数(hFE) 40 12 @3A, 4V -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) 65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 2 W 45000 mW -

额定功率(Max) - 2 W -

长度 10.4 mm 10.4 mm -

宽度 4.7 mm 4.7 mm -

高度 8.72 mm 9.3 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 -

产品生命周期 Obsolete Active Unknown

包装方式 - Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -

材质 - Silicon -

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ (TJ) -