1N649-1和JAN1N649-1

对比图

型号 1N649-1 JAN1N649-1 JANTXV1N649-1

描述 硅整流二极管 Silicon Rectifier DiodesDiode Switching 600V 0.4A 2Pin DO-35Rectifier Diode, 1Element, 0.15A, Silicon, DO-35, SIMILAR TO DO-35, 2Pin

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 TVS二极管二极管功率二极管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DO-35 DO-35 DO-35

引脚数 2 2 -

正向电压 1V @400mA 1V @400mA 1V @400mA

耗散功率 1500 mW - -

测试电流 45 mA - -

正向电流 400 mA 400 mA -

稳压值 5.6 V - -

正向电压(Max) 1V @400mA - -

正向电流(Max) 400 mA 0.4 A -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 500 mW 500 mW -

封装 DO-35 DO-35 DO-35

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Bulk Bag Bulk

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Contains Lead