BZV55-B18T/R和TZMB18-GS08

对比图

型号 BZV55-B18T/R TZMB18-GS08 BZV55-B18

描述 DIODE 18 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Voltage Regulator DiodeVISHAY  TZMB18-GS08  齐纳二极管, 500mW, 18V, SOD-80500mW，BZV55 系列，NXP SemiconductorsNXP 500mW 表面安装 (SMT) 齐纳二极管，具有较宽的击穿电压范围。### 齐纳二极管，NXP Semiconductors

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Vishay Semiconductor (威世) NXP (恩智浦)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 2 2

封装 - SOD-80 SOD-80

稳压值 - 18 V 18 V

工作温度(Max) - 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 500 mW 500 mW

容差 - ±2 % -

针脚数 - 2 -

正向电压 - 1.5V @200mA -

耗散功率 - 500 mW -

测试电流 - 5 mA -

额定功率(Max) - 500 mW -

高度 - 1.6 mm 3.7 mm

封装 - SOD-80 SOD-80

长度 - 3.7 mm -

宽度 - 1.6 mm -

温度系数 - - 14.4 mV/℃

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Unknown

包装方式 - Cut Tape (CT) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 -