PD57018和PD57018S

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PD57018 PD57018S PD57018TR-E

描述 RF功率晶体管的LDMOST塑料系列 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILYRF功率晶体管的LDMOST塑料系列 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILYRF功率晶体管, LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF power transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 晶体管晶体管晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 PowerSO-10 PowerSO-10 PowerSO-10RF

频率 945 MHz 945 MHz 945 MHz

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 31700 mW 31.7 W 31700 mW

漏源击穿电压 65.0 V 65.0 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 2.50 A 2.50 A -

输出功率 18 W 18 W 18 W

增益 16.5 dB 16.5 dB 16.5 dB

测试电流 100 mA 100 mA 100 mA

输入电容(Ciss) 34.5pF @28V(Vds) - 34.5pF @28V(Vds)

工作温度(Max) 165 ℃ - 165 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) 31700 mW - 31700 mW

额定电压 65 V 65 V 65 V

漏源极电压(Vds) - - 65 V

封装 PowerSO-10 PowerSO-10 PowerSO-10RF

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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