FDS6690A和IRF8707TRPBF

对比图

型号 FDS6690A IRF8707TRPBF STS11N3LLH5

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6690A  晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 30 V, 12.5 mohm, 10 V, 1.9 VINFINEON  IRF8707TRPBF  场效应管, MOSFETSTMICROELECTRONICS  STS11N3LLH5  晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 30 V, 0.0117 ohm, 10 V, 1 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

通道数 - 1 -

针脚数 8 8 8

漏源极电阻 12.5 mΩ 17.5 mΩ 0.0117 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.7 W

产品系列 - IRF8707 -

阈值电压 1.9 V 1.8 V 1 V

输入电容 1.21 nF 760 pF -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30.0 V 30 V -

连续漏极电流(Ids) 11.0 A 11.0 A -

上升时间 5.00 ns 7.9 ns -

输入电容(Ciss) 1205pF @15V(Vds) 760pF @15V(Vds) 724pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 1 W 2.5 W 2.7 W

下降时间 - 4.4 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.7W (Tc)

额定电压(DC) 30.0 V - -

额定电流 11.0 A - -

栅电荷 12.0 nC - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

长度 5 mm 5 mm -

宽度 4 mm 4 mm -

高度 1.5 mm 1.5 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - -