对比图
型号 FQD24N08TM IRFR024NTRPBF NTD3055L104T4G
描述 Trans MOSFET N-CH 80V 19.6A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RINFINEON IRFR024NTRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 55 V, 0.075 ohm, 10 V, 4 VON SEMICONDUCTOR NTD3055L104T4G 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 0.089 ohm, 5 V, 1.6 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
引脚数 - 3 3
额定电压(DC) 80.0 V - 60.0 V
额定电流 19.6 A - 12.0 A
漏源极电阻 60.0 mΩ 0.075 Ω 0.089 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2.5W (Ta), 50W (Tc) 45 W 48 W
漏源极电压(Vds) 80 V 55 V 60 V
漏源击穿电压 80.0 V 55 V 60 V
栅源击穿电压 ±25.0 V - ±15.0 V
连续漏极电流(Ids) 19.6 A 17A 12.0 A
输入电容(Ciss) 750pF @25V(Vds) 370pF @25V(Vds) 440pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 50W (Tc) 45W (Tc) 1.5 W
通道数 - - 1
针脚数 - 3 4
阈值电压 - 4 V 1.6 V
上升时间 - 34 ns 104 ns
额定功率(Max) - 45 W 1.5 W
下降时间 - 27 ns 40.5 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
额定功率 - 38 W -
输入电容 - 370pF @25V -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
长度 - 6.73 mm 6.73 mm
宽度 - 6.22 mm 6.22 mm
高度 - 2.39 mm 2.38 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tape Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 - EAR99