BD138和BD138G

对比图

型号 BD138 BD138G BD1386S

描述 塑料中功率硅PNP晶体管 Plastic Medium Power Silicon PNP TransistorON SEMICONDUCTOR  BD138G  Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 60 V, 12.5 W, 1.5 A, 25 hFE 新Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 3Pin(3+Tab) TO-126 Bulk

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

引脚数 - 3 -

极性 PNP PNP PNP

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V

集电极最大允许电流 1.5A 1.5A 1.5A

最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V

额定功率(Max) 1.25 W 1.25 W 1.25 W

额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V -

额定电流 -1.50 A -1.50 A -

最大电流放大倍数(hFE) 250 - -

针脚数 - 3 -

耗散功率 - 12.5 W -

直流电流增益(hFE) - 25 -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 1250 mW -

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 Bulk Bulk -

最小包装 500 - -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free 无铅

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99