LM385BD-1.2和LM385BD-1.2G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LM385BD-1.2 LM385BD-1.2G LM285D-1-2

描述 微功耗电压基准二极管 Micropower Voltage Reference DiodesON SEMICONDUCTOR  LM385BD-1.2G  电压基准, 微功率, 分流 - 固定, LM385B系列, 1.235V, NSOIC-8TEXAS INSTRUMENTS  LM285D-1-2  电压基准, 微功率, 分流 - 固定, LM285系列, 1.235V, SOIC-8

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) TI (德州仪器)

分类 电压基准芯片电压基准芯片电压基准芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

容差 ±1 % ±1 % ±1 %

输出电压 1.235 V 1.235 V 1.235 V

输出电流 20 mA 20 mA 20 mA

供电电流 - - 20.0 mA

通道数 1 1 1

针脚数 - 8 8

输出电压(Max) - 1.235 V 1.235 V

输出电压(Min) 1.235 V 1.235 V 1.235 V

输出电流(Max) - 20 mA 20 mA

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -40 ℃

精度 - 1 % ±1 %

额定电流 10.0 A 10.0 A -

无卤素状态 - Halogen Free -

长度 5 mm 5 mm 5 mm

宽度 4 mm 4 mm 4 mm

高度 1.5 mm 1.5 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃

温度系数 ±80 ppm/℃ ±80 ppm/℃ ±20 ppm/℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Each Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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