2N4033和JAN2N4029

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N4033 JAN2N4029

描述 0.8W RF PNP Metal Can Transistor. 80V Vceo, 1A Ic, 100 - 300 hFE.Trans GP BJT PNP 80V 1A 3Pin TO-18

数据手册 --

制造商 Continental Device Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole

封装 - TO-206

引脚数 - -

击穿电压(集电极-发射极) - 80 V

最小电流放大倍数(hFE) - 100 @100mA, 5V

额定功率(Max) - 500 mW

耗散功率 - -

增益频宽积 - -

工作温度(Max) - -

工作温度(Min) - -

耗散功率(Max) - -

封装 - TO-206

长度 - -

宽度 - -

高度 - -

工作温度 - -55℃ ~ 200℃ (TJ)

材质 - -

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Contains Lead

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