对比图
型号 2N4033 JAN2N4029
描述 0.8W RF PNP Metal Can Transistor. 80V Vceo, 1A Ic, 100 - 300 hFE.Trans GP BJT PNP 80V 1A 3Pin TO-18
数据手册 --
制造商 Continental Device Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管
安装方式 - Through Hole
封装 - TO-206
引脚数 - -
击穿电压(集电极-发射极) - 80 V
最小电流放大倍数(hFE) - 100 @100mA, 5V
额定功率(Max) - 500 mW
耗散功率 - -
增益频宽积 - -
工作温度(Max) - -
工作温度(Min) - -
耗散功率(Max) - -
封装 - TO-206
长度 - -
宽度 - -
高度 - -
工作温度 - -55℃ ~ 200℃ (TJ)
材质 - -
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 - Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Contains Lead