对比图
型号 IRF6614 IRF6614TRPBF
描述 Direct-FET N-CH 40V 12.7AINFINEON IRF6614TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 40 V, 0.0059 ohm, 10 V, 1.8 V 新
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 7 7
封装 Direct-FET Direct-FET
漏源极电阻 5.90 Ω 0.0059 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 2.1W (Ta), 42W (Tc) 42 W
产品系列 IRF6614 -
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V
漏源击穿电压 40.0 V -
连续漏极电流(Ids) 10.1 A 12.7A
上升时间 27 ns 27 ns
输入电容(Ciss) 2560pF @20V(Vds) 2560pF @20V(Vds)
下降时间 3.6 ns 3.6 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃
耗散功率(Max) 2.1W (Ta), 42W (Tc) 2.1W (Ta), 42W (Tc)
额定功率 - 42 W
针脚数 - 7
阈值电压 - 1.8 V
额定功率(Max) - 2.1 W
封装 Direct-FET Direct-FET
材质 Silicon Silicon
工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17