PBSS306PZ和PBSS306PZ,135

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PBSS306PZ PBSS306PZ,135

描述 低饱和电压 PNP 晶体管,Nexperia一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管,NexperiaNXP  PBSS306PZ,135  单晶体管 双极, PNP, -100 V, 100 MHz, 700 mW, -4.1 A, 300 hFE

数据手册 --

制造商 Nexperia (安世) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 4

封装 SOT-223 TO-261-4

频率 - 100 MHz

额定功率 - -

针脚数 - 4

耗散功率 - 700 mW

击穿电压(集电极-发射极) - 100 V

最小电流放大倍数(hFE) 25 100 @2A, 2V

额定功率(Max) - 2 W

直流电流增益(hFE) - 300

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 2 W 2000 mW

极性 - PNP

集电极最大允许电流 - 4.1A

最大电流放大倍数(hFE) - 200 @0.5A, 2V

长度 6.7 mm -

宽度 3.7 mm -

高度 1.7 mm 1.7 mm

封装 SOT-223 TO-261-4

工作温度 - 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台