对比图
型号 IRFR220NTRPBF STD7NS20T4 STD5N20LT4
描述 200V,5A,N沟道功率MOSFETSTMICROELECTRONICS STD7NS20T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 200 V, 0.35 ohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS STD5N20LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 200 V, 650 mohm, 5 V, 2.5 V
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) 200 V 200 V 200 V
额定电流 5.00 A 7.00 A 5.00 A
通道数 - 1 1
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 0.35 Ω 0.65 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel, P-Channel
耗散功率 43 W 45 W 33 W
阈值电压 - 3 V 2.5 V
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
漏源击穿电压 - 200 V 200 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 5.00 A 7.00 A 5.00 A
上升时间 11.0 ns 15 ns 21.5 ns
输入电容(Ciss) 300pF @25V(Vds) 540pF @25V(Vds) 242pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 43 W 45 W 33 W
下降时间 - 12 ns 15.5 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 45W (Tc) 33W (Tc)
产品系列 IRFR220N - -
长度 - 6.6 mm 6.6 mm
宽度 - 6.2 mm 6.2 mm
高度 - 2.4 mm 2.4 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 - 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 -