对比图
型号 SPU07N60C3 STD8NM60N-1 SPI07N60S5HKSA1
描述 INFINEON SPU07N60C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 600 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 VN沟道600 V ， 0.56 Ω ， 7一的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 ， TO- 220FP ， IPAK ， DPAK ， D2PAK N-channel 600 V, 0.56 Ω,7 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAKTO-262 N-CH 600V 7.3A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-262-3-1
引脚数 3 3 -
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 83 W 70 W 83W (Tc)
漏源极电压(Vds) 650 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 7.30 A 3.50 A 7.3A
输入电容(Ciss) 790pF @25V(Vds) 560pF @50V(Vds) 970pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 83W (Tc) 70W (Tc) 83W (Tc)
上升时间 3.5 ns 12 ns -
下降时间 7 ns 10 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
额定电压(DC) 650 V - -
额定电流 7.30 A - -
通道数 1 - -
针脚数 3 - -
漏源极电阻 0.54 Ω - -
阈值电压 3 V - -
输入电容 790 pF - -
栅电荷 27.0 nC - -
漏源击穿电压 600 V - -
额定功率(Max) 83 W - -
封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-262-3-1
长度 6.73 mm 6.6 mm -
宽度 2.38 mm 2.4 mm -
高度 6.22 mm 6.2 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended Obsolete Obsolete
包装方式 Tube - -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -