FQI2N80TU和FQU2N80

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQI2N80TU FQU2N80 FQU2N80TU

描述 N沟道 800V 2.4A800V N沟道MOSFET 800V N-Channel MOSFETN沟道 800V 1.8A

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-262-3 IPAK TO-251-3

额定电压(DC) 800 V - 800 V

额定电流 2.40 A - 1.80 A

漏源极电阻 4.90 Ω - 6.30 Ω

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 3.13W (Ta), 85W (Tc) - 2.5 W

漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V

漏源击穿电压 800 V - 800 V

栅源击穿电压 ±30.0 V - ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 2.40 A 1.8A 1.80 A

上升时间 - - 30 ns

输入电容(Ciss) 550pF @25V(Vds) - 550pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 3.13 W - 2.5 W

下降时间 - - 28 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) 3.13W (Ta), 85W (Tc) - 2.5W (Ta), 50W (Tc)

长度 - - 6.8 mm

宽度 - - 2.5 mm

高度 - - 6.3 mm

封装 TO-262-3 IPAK TO-251-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司