SM8S26AHE3/2E和SM8S26AHE3/2D

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SM8S26AHE3/2E SM8S26AHE3/2D SM8S26A-E3/2D

描述 Diode TVS Single Uni-Dir 26V 6.6kW 2Pin DO-218AB T/RESD 抑制器/TVS 二极管 8.0W 26V 5% Unidir AEC-Q101 QualifiedESD 抑制器/TVS 二极管 RECOMMENDED ALT 78-SM8S26AHE3_A/I

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 TVS二极管TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 DO-218AB DO-218AB-2 DO-218AB-2

引脚数 - 2 -

钳位电压 42.1 V 42.1 V 42.1 V

脉冲峰值功率 6600 W 6600 W 6600 W

最小反向击穿电压 28.9 V 28.9 V 28.9 V

工作电压 - 26 V 26 V

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

击穿电压 - 28.9 V -

测试电流 - 5 mA -

最大反向击穿电压 - 31.9 V -

工作结温 - -55℃ ~ 175℃ -

封装 DO-218AB DO-218AB-2 DO-218AB-2

长度 - 13.7 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

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