STD25NF10L和STD25NF10LT4

对比图

型号 STD25NF10L STD25NF10LT4 D2-5

描述 N沟道100V - 0.030欧姆 - 25A DPAK低栅电荷STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 100V - 0.030 ohm - 25A DPAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ II POWER MOSFETN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN-channel 100 V, 0.033 Ohm typ., 25 A StripFET Power MOSFET in DPAK package

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

封装 TO-252 TO-252-3 TO-252

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 3 3 -

封装 TO-252 TO-252-3 TO-252

长度 - 6.6 mm -

宽度 - 6.2 mm -

高度 - 2.4 mm -

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tube, Rail Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

额定电压(DC) - 100 V -

额定电流 - 25.0 A -

漏源极电阻 - 0.03 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 100 W 100 W -

阈值电压 - 2.5 V -

漏源极电压(Vds) - 100 V -

漏源击穿电压 - 100 V -

栅源击穿电压 - ±16.0 V -

连续漏极电流(Ids) 25.0 A 25.0 A -

上升时间 - 40 ns -

输入电容(Ciss) - 1710pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 100 W -

下降时间 - 20 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 100W (Tc) -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

ECCN代码 - EAR99 -