MMBT4401LT1G和PMBT4401,215

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBT4401LT1G PMBT4401,215 2N4401RLRAG

描述 ON SEMICONDUCTOR  MMBT4401LT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 40 V, 250 MHz, 225 mW, 600 mA, 250 hFENXP  PMBT4401,215  单晶体管 双极, 通用, NPN, 40 V, 250 MHz, 250 mW, 600 mA, 100 hFEON SEMICONDUCTOR  2N4401RLRAG  双极晶体管

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 TO-92-3

频率 250 MHz 250 MHz 250 MHz

额定电压(DC) 40.0 V - 40.0 V

额定电流 600 mA - 600 mA

额定功率 300 mW - -

针脚数 3 3 -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 225 mW 250 mW 625 mW

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 40 V

集电极最大允许电流 0.6A 0.6A 0.6A

最小电流放大倍数(hFE) 20 100 @150mA, 1V 100 @150mA, 1V

额定功率(Max) 300 mW 250 mW 625 mW

直流电流增益(hFE) 250 100 250

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 250 mW 625 mW

热阻 - - 83.3℃/W (RθJC)

最大电流放大倍数(hFE) - 20 @0.1mA, 1V -

长度 2.9 mm - 5.2 mm

宽度 1.3 mm - 4.19 mm

高度 0.94 mm - 5.33 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 TO-92-3

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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