STB100NF03L-03和STB100NF03L-03T4

对比图

型号 STB100NF03L-03 STB100NF03L-03T4

描述 N沟道30V - 0.0026 W¯¯ -100A DPAK / IPAK / TO- 220 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.0026 W -100A DPAK/IPAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFETSTMICROELECTRONICS  STB100NF03L-03T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 0.0026 ohm, 10 V, 1.7 V

数据手册 --

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

封装 D2PAK TO-263-3

安装方式 - Surface Mount

引脚数 - 3

极性 N-CH N-Channel

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 100A 100 A

额定电压(DC) - 30.0 V

额定电流 - 100 A

通道数 - 1

针脚数 - 3

漏源极电阻 - 0.0026 Ω

耗散功率 - 300 W

阈值电压 - 1.7 V

漏源击穿电压 - 30.0 V

栅源击穿电压 - ±16.0 V

上升时间 - 315 ns

输入电容(Ciss) - 6200pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 300 W

下降时间 - 95 ns

工作温度(Max) - 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 300W (Tc)

封装 D2PAK TO-263-3

宽度 - 9.35 mm

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)