JAN2N3868S和JANTX2N3868S

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN2N3868S JANTX2N3868S JANS2N3868

描述 硅PNP功率晶体管 Silicon PNP Power Transistors硅PNP功率晶体管 Silicon PNP Power TransistorsSmall Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-5, SIMILAR TO TO-5, 3 PIN

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) M/A-Com

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-205 TO-39 -

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V -

最小电流放大倍数(hFE) 30 @1.5A, 2V 30 @1.5A, 2V -

额定功率(Max) 1 W 1 W -

工作温度(Max) 200 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 1000 mW - -

耗散功率 - 1 W -

封装 TO-205 TO-39 -

材质 Silicon - -

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag Bag -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant -

含铅标准 -

ECCN代码 - EAR99 -

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