J175,116和J177,126

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 J175,116 J177,126 J175

描述 JFET P-CH 30V 0.4W TO92射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 AMMORA FET-RFSSP沟道开关 P-Channel Switch

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 JFET晶体管JFET晶体管JFET晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

漏源极电阻 125 Ω 300 Ω 125 Ω

耗散功率 - 300 mW 350 mW

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

击穿电压 30 V 30 V 30 V

输入电容(Ciss) 8pF @10V(Vgs) 8pF @10V(Vgs) -

额定功率(Max) 400 mW 400 mW 350 mW

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -

额定电压(DC) - - -30.0 V

额定电流 - - 50.0 mA

击穿电压 - - 30.0 V

极性 - - P-Channel

栅源击穿电压 - - 30 V

连续漏极电流(Ids) - - -60.0 mA

长度 - 4.8 mm -

宽度 - 4.2 mm -

高度 - 5.2 mm 5.33 mm

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Box (TB) Tape & Box (TB) Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2014/12/17

ECCN代码 - - EAR99

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