对比图
描述 电压和电流均为负 Voltage and Current are NegativeSPT PNP 20V 1A
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 -
封装 TO-226-3 TO-226-3
额定电压(DC) -20.0 V -
额定电流 -1.00 A -
击穿电压(集电极-发射极) 20 V 20 V
最小电流放大倍数(hFE) 85 @500mA, 1V 85 @500mA, 1V
额定功率(Max) 625 mW 830 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 65 ℃
耗散功率(Max) 625 mW -
极性 - PNP
耗散功率 - 830 mW
增益频宽积 - 140 MHz
集电极最大允许电流 - 1A
封装 TO-226-3 TO-226-3
长度 - 4.8 mm
宽度 - 4.2 mm
高度 - 5.2 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Obsolete
包装方式 Box Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free