BLF6G38-50,112和BLF6G38LS-50,112

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BLF6G38-50,112 BLF6G38LS-50,112 BLF6G38S-25,112

描述 Trans RF MOSFET N-CH 65V 16.5A 3Pin SOT-502A BulkTrans RF MOSFET N-CH 65V 16.5A 3Pin SOT-502B BulkTrans RF MOSFET N-CH 65V 2.1A 3Pin CDFM Bulk

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 晶体管晶体管晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 SOT-502-3 SOT-502-3 SOT-608

频率 - 3.4GHz ~ 3.6GHz 3.4GHz ~ 3.6GHz

额定电流 - 16.5 A 8.2 A

漏源极电阻 290 mΩ 290 mΩ -

漏源击穿电压 65 V 65 V -

输出功率 - 9 W 4.5 W

增益 - 14 dB 15 dB

测试电流 - 450 mA 225 mA

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) 65 ℃ 65 ℃ -

长度 20.02 mm 20.7 mm -

宽度 9.91 mm 9.91 mm -

高度 4.72 mm 4.72 mm -

封装 SOT-502-3 SOT-502-3 SOT-608

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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