对比图
描述 硅扩散型功率晶体管 Silicon Diffused Power TransistorTrans GP BJT NPN 650V 10A 3Pin(3+Tab) TO-247AE硅扩散型功率晶体管 Silicon Diffused Power Transistor
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) Motorola (摩托罗拉) NXP (恩智浦)
分类 双极性晶体管
安装方式 Through Hole - -
封装 TO-247 - TOP-3
极性 NPN - NPN
击穿电压(集电极-发射极) 800 V - 800 V
集电极最大允许电流 12A - 12A
封装 TO-247 - TOP-3
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free -