BSO110N03MSGXUMA1和SI4384DY-T1-E3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSO110N03MSGXUMA1 SI4384DY-T1-E3 BSO130N03MSGXUMA1

描述 INFINEON  BSO110N03MSGXUMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 30 V, 0.0092 ohm, 10 V, 2 VMOSFET N-CH 30V 10A 8-SOICDSO N-CH 30V 9A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Siliconix Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 PG-DSO-8 SOIC-8 PG-DSO-8

额定功率 1.56 W - -

针脚数 8 - -

漏源极电阻 0.0092 Ω - -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 1.56 W 1.47 W 1.56W (Ta)

阈值电压 2 V - -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 10A 15.0 A 9A

上升时间 4.4 ns - 3.8 ns

输入电容(Ciss) 1500pF @15V(Vds) - 1300pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 1.56 W - 1.56 W

下降时间 4.4 ns - 4.2 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 1.56W (Ta) 1.47W (Ta) 1.56W (Ta)

长度 5 mm 5 mm -

宽度 4 mm - -

高度 1.65 mm 1.55 mm -

封装 PG-DSO-8 SOIC-8 PG-DSO-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 - EAR99 -

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