对比图
型号 PSMN4R0-40YS PSMN4R0-40YS,115 PHP143NQ04T
描述 NXP PSMN4R0-40YS 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 3.2 mohm, 10 V, 3 VSingle N-Channel 40V 4.2mOhm 38NC 106W Silicon SMT Mosfet - LFPAK-4N沟道的TrenchMOS标准水平FET N-channel TrenchMOS standard level FET
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole
引脚数 4 4 -
封装 SOT-669 SOT-669 TO-220-3
漏源极电阻 3.2 mΩ 0.0032 Ω -
极性 N-Channel N-Channel -
耗散功率 106 W 106 W 200 W
阈值电压 3 V 3 V -
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40.0 V
连续漏极电流(Ids) 100A 100 A 75.0 A
上升时间 - 19 ns 51 ns
输入电容(Ciss) 2410pF @20V(Vds) 2410pF @20V(Vds) -
额定功率(Max) - 106 W -
下降时间 - 12 ns 56 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 106 W 106W (Tc) -
额定电压(DC) - - 40.0 V
额定电流 - - 75.0 A
输入电容 - - 2.84 nF
栅电荷 - - 52.0 nC
针脚数 4 - -
封装 SOT-669 SOT-669 TO-220-3
长度 5 mm - 10.3 mm
宽度 4.1 mm - 4.7 mm
高度 1.1 mm - 9.4 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -
产品生命周期 Unknown Active Unknown
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 Exempt RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -
REACH SVHC标准 No SVHC - -