PHP143NQ04T

PHP143NQ04T中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 40.0 V

额定电流 75.0 A

耗散功率 200 W

输入电容 2.84 nF

栅电荷 52.0 nC

漏源极电压Vds 40.0 V

连续漏极电流Ids 75.0 A

上升时间 51 ns

下降时间 56 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.3 mm

宽度 4.7 mm

高度 9.4 mm

封装 TO-220-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PHP143NQ04T
型号: PHP143NQ04T
制造商: NXP 恩智浦
描述:N沟道的TrenchMOS标准水平FET N-channel TrenchMOS standard level FET
替代型号PHP143NQ04T
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PHP143NQ04T

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

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