对比图
型号 IPI65R600C6XKSA1 SPI07N65C3 IPI60R520CPAKSA1
描述 Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPI65R600C6XKSA1, 7.3 A, Vds=700 V, 3引脚 I2PAK (TO-262)封装新的革命高电压技术，超低栅极电荷定期额定雪崩 New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Periodic avalanche ratedTO-262 N-CH 600V 6.8A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3
引脚数 3 - 3
额定电压(DC) - 650 V -
额定电流 - 7.30 A -
极性 N-CH N-CH N-CH
输入电容 - 790 pF -
栅电荷 - 27.0 nC -
漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 7.3A 7.30 A 6.8A
上升时间 9 ns 3.5 ns 12 ns
输入电容(Ciss) 440pF @100V(Vds) 790pF @25V(Vds) 630pF @100V(Vds)
额定功率(Max) - 83 W -
下降时间 13 ns 7 ns 16 ns
额定功率 63 W - -
耗散功率 63W (Tc) - 66W (Tc)
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 63W (Tc) - 66W (Tc)
长度 10.36 mm 10.2 mm -
宽度 4.52 mm 4.5 mm -
高度 9.45 mm 9.45 mm -
封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Obsolete Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free