对比图
型号 IPP80N06S205AKSA1 STP80NF55-06 STP141NF55
描述 TO-220AB N-CH 55V 80ASTMICROELECTRONICS STP80NF55-06 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 VN沟道55V - 0.0065Ω - 80A - D2PAK - I2PAK - TO- 220的STripFET ™II功率MOSFET N-channel 55V - 0.0065Ω - 80A - D2PAK - I2PAK - TO-220 STripFET™ II Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
极性 N-CH N-Channel N-CH
耗散功率 300 W 300 W 300 W
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 80A 80.0 A 80A
上升时间 21 ns 155 ns 150 ns
输入电容(Ciss) 5110pF @25V(Vds) 4400pF @25V(Vds) 5300pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 300 W 300 W
下降时间 20 ns 65 ns 45 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)
额定电压(DC) - 55.0 V -
额定电流 - 80.0 A -
通道数 - 1 -
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 0.0065 Ω -
阈值电压 - 3 V -
漏源击穿电压 - 55.0 V -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
长度 10 mm 10.4 mm 10.4 mm
宽度 4.4 mm 4.6 mm 4.6 mm
高度 15.65 mm 9.15 mm 9.15 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
ECCN代码 - - EAR99