JAN2N6032和JANTX2N6032

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN2N6032 JANTX2N6032 JANTXV2N6032

描述 NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORNPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORNPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 -

封装 TO-3 TO-3 TO-3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 - 140 W -

击穿电压(集电极-发射极) 90 V 90 V 90 V

集电极最大允许电流 50A 50A 50A

工作温度(Max) - 200 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 140000 mW -

封装 TO-3 TO-3 TO-3

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tray -

RoHS标准 - Non-Compliant -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台