对比图
描述 双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor TransistorsON SEMICONDUCTOR MUN5233DW1T1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 电阻比率, SOT-363
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6
封装 SOT-363-6 SC-70-6
额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V
额定电流 100 mA 100 mA
极性 NPN NPN
耗散功率 187 mW 0.385 W
击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V
集电极最大允许电流 100mA 100mA
最小电流放大倍数(hFE) 80 @5mA, 10V 80 @5mA, 10V
最大电流放大倍数(hFE) 80 @5mA, 10V -
额定功率(Max) 250 mW 250 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 385 mW 385 mW
长度 2 mm -
宽度 1.25 mm -
高度 0.9 mm -
封装 SOT-363-6 SC-70-6
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99