NTA4153NT1G和NTE4153NT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 NTA4153NT1G NTE4153NT1G NTK3134NT1G

描述 N 通道功率 MOSFET,20V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON SemiconductorN 通道功率 MOSFET,20V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON SemiconductorON SEMICONDUCTOR  NTK3134NT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 890 mA, 20 V, 0.2 ohm, 4.5 V, 1.2 V

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SC-75-3 SC-89-3 SOT-723-3

额定电压(DC) 20.0 V 20.0 V -

额定电流 915 mA 915 mA -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.127 Ω 0.127 Ω 0.2 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 300 mW 300 mW 450 mW

阈值电压 760 mV 760 mV 1.2 V

输入电容 110 pF 110pF @16V -

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

漏源击穿电压 26 V 26 V 20.0 V

栅源击穿电压 ±6.00 V ±6.00 V ±6.00 V

连续漏极电流(Ids) 915 mA 915 mA 890 mA

上升时间 4.4 ns 4.4 ns 4.8 ns

输入电容(Ciss) 110pF @16V(Vds) 110pF @16V(Vds) 120pF @16V(Vds)

额定功率(Max) 300 mW 300 mW 310 mW

下降时间 7.6 ns 7.6 ns 7.4 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 300 mW 310mW (Ta)

通道数 - - 1

长度 1.65 mm 1.7 mm 1.25 mm

宽度 1.6 mm 0.95 mm 0.85 mm

高度 0.8 mm 0.8 mm 0.55 mm

封装 SC-75-3 SC-89-3 SOT-723-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2016/06/20 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

香港进出口证 NLR NLR -

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