IPP072N10N3GXKSA1和IRFB4310PBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPP072N10N3GXKSA1 IRFB4310PBF STP100N10F7

描述 Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP072N10N3GXKSA1, 80 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装INFINEON  IRFB4310PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 130 A, 100 V, 5.6 mohm, 10 V, 4 V100V,6.8mΩ,80A,N沟道功率MOSFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定功率 150 W 330 W -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.0062 Ω 0.0056 Ω 0.0068 Ω

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 150 W 300 W 150 W

阈值电压 2.7 V 4 V 4.5 V

输入电容 3690 pF 7670 pF 4369 pF

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 80A 130A -

上升时间 37 ns 110 ns 40 ns

输入电容(Ciss) 3690pF @50V(Vds) 7670pF @50V(Vds) 4369pF @50V(Vds)

额定功率(Max) - 300 W 150 W

下降时间 9 ns 78 ns 15 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 150W (Tc) 300W (Tc) 150W (Tc)

通道数 1 - -

长度 10.36 mm 10.66 mm 10.4 mm

宽度 4.4 mm 4.82 mm -

高度 4.57 mm 9.02 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

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