对比图
描述 PNP 复合晶体管，On Semiconductor这些 ON Semiconductor 复合晶体管是包含两个双极性晶体管（集成或分离设备）的复合结构。 这些设备连接，因此第二个晶体管进一步放大由第一个晶体管放大的电流。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管ON SEMICONDUCTOR MJ11033G. 达林顿双极晶体管Bipolar (BJT) Single Transistor, Darlington, PNP, -120V, 7MHz, 150W, -16A, 1000 hFE
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Semelab
分类 双极性晶体管双极性晶体管晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 2 2 2
封装 TO-204-2 TO-204-2 TO-3
额定电压(DC) -120 V -120 V -
额定电流 -30.0 A 50.0 A -
输出电压 120 V 120 V -
输出电流 30 A 50 A -
针脚数 2 2 -
极性 PNP, P-Channel PNP, P-Channel PNP
耗散功率 200 W 300 W 150 W
击穿电压(集电极-发射极) 120 V 120 V -
集电极最大允许电流 30A 50A -
最小电流放大倍数(hFE) 1000 @20A, 5V 1000 @25A, 5V -
额定功率(Max) 200 W 300 W -
直流电流增益(hFE) 1000 18000 1000
工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
增益带宽 4MHz (Min) - -
耗散功率(Max) 200000 mW 300 W -
输入电压 5 V 5 V -
最大电流放大倍数(hFE) - 18000 -
长度 39.37 mm 38.86 mm -
宽度 26.67 mm 26.67 mm -
高度 8.51 mm 8.51 mm -
封装 TO-204-2 TO-204-2 TO-3
工作温度 -55℃ ~ 200℃ (TJ) -55℃ ~ 200℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active -
包装方式 Tray Tray -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free -
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2016/06/20 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -