FDN339AN和RTR040N03TL

对比图

型号 FDN339AN RTR040N03TL PMV28UN

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDN339AN  晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 20 V, 35 mohm, 4.5 V, 850 mVROHM  RTR040N03TL  晶体管, MOSFET, 低栅极阈值电压, N沟道, 4 A, 30 V, 66 mohm, 4.5 V, 1.5 VNXP  PMV28UN  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.3 A, 20 V, 0.025 ohm, 4.5 V, 700 mV

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.029 Ω 0.066 Ω 0.025 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 500 mW 1 W 380 mW

阈值电压 850 mV 1.5 V 700 mV

漏源极电压(Vds) 20 V 30 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 3.00 A 4.00 A -

上升时间 10 ns 18 ns -

输入电容(Ciss) 700pF @10V(Vds) 475pF @10V(Vds) -

额定功率(Max) 460 mW 1 W -

下降时间 10 ns 19 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 0.5 W 1W (Ta) -

额定电压(DC) 20.0 V - -

额定电流 3.00 A - -

输入电容 700 pF - -

栅电荷 7.00 nC - -

漏源击穿电压 20.0 V - -

栅源击穿电压 ±8.00 V - -

长度 2.92 mm 2.9 mm -

宽度 1.4 mm 1.60 mm -

高度 0.94 mm 0.85 mm -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23

材质 - Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Not For New Designs Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/12/17

香港进出口证 - - NLR

ECCN代码 EAR99 - -