对比图
型号 FCP11N60 SPA11N60C3 SIHP12N60E-GE3
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCP11N60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 650 V, 320 mohm, 10 V, 5 VInfineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能N 通道 MOSFET，E 系列，低品质因数，Vishay SemiconductorVishay E 系列 MOSFET 电源是高电压晶体管，具有超低最大接通电阻、低灵敏值和快速切换功能。 它们提供各种电流额定值。 典型应用包括服务器和电信电源、LED 照明、回扫转换器、功率因数校正 (PFC) 和开关模式电源 (SMPS)。### 特点低灵敏值 (FOM) RDS(on) x Qg 低输入电容 (Ciss) 低接通电阻（RDS（接通）） 超低栅极电荷 (Qg) 快速切换 减少切换和传导损耗### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) VISHAY (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 320 mΩ 0.34 Ω 0.32 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 125 W 33 W 147 W
阈值电压 5 V 3 V 2 V
漏源极电压(Vds) 600 V 650 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 11.0 A 11.0 A 12A
上升时间 98 ns 5 ns 19 ns
输入电容(Ciss) 1490pF @25V(Vds) 1200pF @25V(Vds) 937pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 125 W 33 W 147 W
下降时间 56 ns 5 ns 19 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 125 W 33 W 147 W
额定电压(DC) 600 V 650 V -
额定电流 11.0 A 11.0 A -
通道数 - 1 -
输入电容 1.15 nF - -
栅电荷 40.0 nC - -
漏源击穿电压 600 V - -
栅源击穿电压 ±30.0 V - -
长度 10.1 mm 10.65 mm 10.51 mm
宽度 4.7 mm 4.85 mm 4.65 mm
高度 9.4 mm 9.83 mm 9.01 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
最小包装 - - 50
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -