对比图
型号 CSD13381F4 CSD17382F4 CSD13381F4T
描述 12V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET，CSD13381F430V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、LGA 1.0 x 0.6mm、67mΩ 3-PICOSTAR -55 to 150TEXAS INSTRUMENTS CSD13381F4T 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.1 A, 12 V, 0.14 ohm, 4.5 V, 850 mV
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 PICOSTAR-3 PICOSTAR-3 PICOSTAR-3
通道数 1 - 1
针脚数 - - 3
漏源极电阻 180 mΩ - 0.14 Ω
极性 N-CH N-CH N-Channel
耗散功率 500 mW 0.5 W 500 mW
阈值电压 850 mV - 850 mV
漏源极电压(Vds) 12 V 30 V 12 V
连续漏极电流(Ids) 2.1A 2.3A 2.1A
上升时间 1.5 ns 111 ns 1.5 ns
输入电容(Ciss) 200pF @6V(Vds) 347pF @15V(Vds) 155pF @6V(Vds)
下降时间 3.8 ns 270 ns 3.8 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 500mW (Ta) 500mW (Ta) 500 mW
漏源击穿电压 12 V - -
额定功率(Max) 500 mW - -
长度 1 mm - 1.04 mm
宽度 0.64 mm - 0.64 mm
高度 0.35 mm - 0.35 mm
封装 PICOSTAR-3 PICOSTAR-3 PICOSTAR-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 正在供货 正在供货 Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15
香港进出口证 NLR - -
ECCN代码 - EAR99 -