IPI65R190CFD和SPI20N60C3

对比图

型号 IPI65R190CFD SPI20N60C3 IPI65R190CFDXKSA1

描述 ？金属氧化物Semiconduvtor场效应晶体管 Metal Oxide Semiconduvtor Field Effect Transistor酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS™ Power TransistorTO-262 N-CH 650V 17.5A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3

额定电压(DC) - 650 V -

额定电流 - 20.7 A -

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 220 mΩ -

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 - 208 W 151W (Tc)

输入电容 - 2.40 nF -

栅电荷 - 114 nC -

漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 650 V

漏源击穿电压 - 650 V -

连续漏极电流(Ids) 17.5A 20.7 A 17.5A

上升时间 8.4 ns 15 ns 8.4 ns

输入电容(Ciss) 1850pF @100V(Vds) 2400pF @25V(Vds) 1850pF @100V(Vds)

额定功率(Max) 151 W 208 W -

下降时间 6.4 ns 6.4 ns 6.4 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) -55.0 ℃ 55 ℃ -

阈值电压 4 V - -

额定功率 - - 151 W

耗散功率(Max) - - 151W (Tc)

长度 10.2 mm 10.2 mm 10.2 mm

宽度 4.5 mm 4.5 mm 4.5 mm

高度 9.45 mm 9.45 mm 9.45 mm

封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅