APT50GP60B2DQ2G和APT50GP60LDLG

对比图

型号 APT50GP60B2DQ2G APT50GP60LDLG APT50GP60B2DQ2

描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 150A 625000mW 3Pin(3+Tab) T-MAX谐振模式的Combi IGBT Resonant Mode Combi IGBTIGBT 600V 150A 625W TMAX

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-247-3 TO-264-3 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 625000 mW 625000 mW 625 W

额定电压(DC) 600 V - -

额定电流 150 A - -

耗散功率 625000 mW - -

击穿电压(集电极-发射极) 600 V - -

额定功率(Max) 625 W - -

封装 TO-247-3 TO-264-3 -

产品生命周期 Active Obsolete -

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -

ECCN代码 EAR99 - -