对比图
型号 FDS6690AS IRF8707GTRPBF IRF7466PBF
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6690AS 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 30 V, 0.01 ohm, 10 V, 1.6 VINFINEON IRF8707GTRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 30 V, 0.0093 ohm, 10 V, 1.8 V 新SOIC N-CH 30V 11A
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) 30.0 V - -
额定电流 10.0 A - -
针脚数 8 8 -
漏源极电阻 0.01 Ω 0.0093 Ω 0.0125 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W
阈值电压 1.6 V 1.8 V 3 V
输入电容 910 pF - -
栅电荷 16.0 nC - -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 30.0 V - -
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 10.0 A 11A 11A
上升时间 5 ns 7.9 ns -
输入电容(Ciss) 910pF @15V(Vds) 760pF @15V(Vds) 2100pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 1 W 2.5 W -
下降时间 6 ns 4.4 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 2500 mW 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
额定功率 - 2.5 W -
长度 5 mm 5 mm -
宽度 4 mm 4 mm -
高度 1.5 mm 1.5 mm -
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - Silicon -
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - -