IRFZ24NPBF和IRFZ34NPBF

对比图

型号 IRFZ24NPBF IRFZ34NPBF IRFZ24N,127

描述 N 通道功率 MOSFET 13A 至 19A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。INFINEON  IRFZ34NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 29 A, 55 V, 40 mohm, 10 V, 4 VTrans MOSFET N-CH 55V 17A 3Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

耗散功率 45 W 68 W 45W (Tc)

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

输入电容(Ciss) 370pF @25V(Vds) 700pF @25V(Vds) 500pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 45W (Tc) 68W (Tc) 45W (Tc)

额定功率 45 W 56 W -

通道数 1 - -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.07 Ω 0.04 Ω -

极性 N-CH N-CH -

阈值电压 4 V 4 V -

输入电容 370 pF 700 pF -

漏源击穿电压 55 V - -

连续漏极电流(Ids) 17A 29A -

上升时间 34 ns 49 ns -

额定功率(Max) 45 W 68 W -

下降时间 27 ns 40 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

反向恢复时间 - 57 ns -

正向电压(Max) - 1.6 V -

工作结温 - -55℃ ~ 175℃ -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 10 mm 10.54 mm -

宽度 4.4 mm 4.4 mm -

高度 8.77 mm 8.77 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 Silicon Silicon -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -