CY62147EV30LL-45BVIT和CY62147EV30LL-45BVXI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY62147EV30LL-45BVIT CY62147EV30LL-45BVXI CY62147EV30LL-45BVI

描述 静态随机存取存储器 4Mb 3V 45ns 256K x 16 LP 静态随机存取存储器4兆位( 256K ×16 )静态RAM宽电压范围: 2.20 V至3.60 V 4-Mbit (256K x 16) Static RAM Wide voltage range: 2.20 V to 3.60 V4兆位( 256K ×16 )静态RAM宽电压范围: 2.20 V至3.60 V 4-Mbit (256K x 16) Static RAM Wide voltage range: 2.20 V to 3.60 V

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 48 48 48

封装 VFBGA-48 VFBGA-48 VFBGA-48

电源电压(DC) - 3.30 V, 3.60 V (max) -

供电电流 - 20 mA 20 mA

针脚数 - 48 -

时钟频率 - 45.0 GHz -

位数 16 16 16

存取时间 45 ns 45 ns 45 ns

内存容量 - 500000 B -

存取时间(Max) 45 ns 45 ns 45 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.2V ~ 3.6V 2.2V ~ 3.6V 2.2V ~ 3.6V

长度 - 8 mm -

宽度 - 6 mm -

封装 VFBGA-48 VFBGA-48 VFBGA-48

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead

ECCN代码 - 3A991.b.2.a 3A991.b.2.a

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司